電子元器件失效分析

       失效分析是加快電子元器件研制速度、提高元器件和整機(jī)成批量和可靠性的重要途徑。通過(guò)失效分析，元器件生產(chǎn)商可改進(jìn) 元器件的設(shè)計(jì)和工藝，整機(jī)?可改進(jìn)電路板設(shè)計(jì)，提升元器件和整機(jī)的測(cè)試和使用環(huán)境。

      廣電計(jì)量檢測(cè)（GRGT）深耕軍用電子元器件的失效分析與故障歸零，為軍用元器件、電機(jī)/機(jī)電部件、金屬結(jié)構(gòu)件失效能?提供系統(tǒng)的失效分析，能?涵蓋器件設(shè)計(jì)、制造工藝、試驗(yàn)或應(yīng)用等各階段。

服務(wù)內(nèi)容 

形貌分析技術(shù)：體視顯微鏡、金相顯微鏡、X射線(xiàn)透視、聲學(xué)掃描顯微鏡、掃描電鏡、透射電鏡、聚焦離子束。

成分檢測(cè)技術(shù)：X射線(xiàn)能譜EDX、俄歇能譜AES、二次離子質(zhì)譜SIMS、光譜、?譜、質(zhì)譜。

電分析技術(shù)：I-V曲線(xiàn)、半導(dǎo)體參數(shù)、LCR參數(shù)、集成電路參數(shù)、頻譜分析、ESD參數(shù)、電子探針、機(jī)械探針、絕緣耐壓、繼電器特性。

開(kāi)封制樣技術(shù)：化學(xué)開(kāi)封、機(jī)械開(kāi)封、等離子刻蝕、反應(yīng)離子刻蝕、化學(xué)腐蝕、切?。

缺陷定位技術(shù)：液晶熱點(diǎn)、紅外熱像、電壓襯度、光發(fā)射顯微像、OBIRCH。

服務(wù)對(duì)象 

電子元件、分?器件、機(jī)電類(lèi)器件、線(xiàn)纜及接插件、微處理器、可編程邏輯器件、存儲(chǔ)器、AD/DA、總線(xiàn)接?類(lèi)、通用數(shù)字電路、模擬開(kāi)關(guān)、模擬器件、微波器件、電源類(lèi)...

覆蓋標(biāo)準(zhǔn) 

GJB 33A-1997半導(dǎo)體分立器件總規(guī)范；

GJB 65B-1999有可靠性指標(biāo)的電磁繼電器總規(guī)范；

GJB 450A裝備可靠性工作通用要求；

GJB 536B-2011電子元器件質(zhì)量保證大綱；

GJB 548B-2005微電子器件試驗(yàn)方法和程序；

GJB 597A-1996半導(dǎo)體集成電路總規(guī)范；

GJB 841故障報(bào)告、分析和糾正系統(tǒng)；

       廣電計(jì)量從1964年開(kāi)始從事計(jì)量檢定工作，是原信息產(chǎn)業(yè)部電子602計(jì)量站，歷經(jīng)五十余年的技術(shù) 沉淀，持續(xù)變革創(chuàng)新，實(shí)現(xiàn)跨越式發(fā)展，成長(zhǎng)為?家全國(guó)性、綜合化、軍民融合的國(guó)有第三?計(jì)量檢測(cè)機(jī)構(gòu)，專(zhuān)業(yè)提供計(jì)量校準(zhǔn)、產(chǎn)品檢測(cè)及認(rèn)證、分析評(píng)價(jià)、咨詢(xún)培訓(xùn)、檢測(cè)裝備及軟件系統(tǒng)研發(fā)等技術(shù)服務(wù)和 產(chǎn)品，獲得了CNAS、DILAC、CMA、CATL，以及“軍工四證”等政府和?業(yè)眾多權(quán)威機(jī)構(gòu)的認(rèn)可資質(zhì)。

       依據(jù)各?業(yè)及領(lǐng)域客戶(hù)的需求，廣電計(jì)量精?打造出涵蓋計(jì)量校準(zhǔn)、可靠性與環(huán)境試驗(yàn)、電磁兼容 檢測(cè)、化學(xué)分析、食品農(nóng)產(chǎn)品檢測(cè)、環(huán)保檢測(cè)、產(chǎn)品認(rèn)證、技術(shù)咨詢(xún)與培訓(xùn)、質(zhì)檢?業(yè)信息化系統(tǒng)開(kāi)發(fā)、測(cè)控產(chǎn)品研發(fā)的?站式計(jì)量檢測(cè)技術(shù)服務(wù)和產(chǎn)品，貫穿企業(yè)品質(zhì)管控全過(guò)程。

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