電子元器件破壞性物理分析（DPA）及失效分析FA

?業(yè)務聯系信息：

李經理：138 0884 0060；

郵箱：lisz@grgtest.com

       廣電計量檢測（GRGT）深耕電子元器件的失效分析與故障歸零，為元器件、電機/機電部件、金屬結構件失效能?提供系統(tǒng)的失效分析，能?涵蓋器件設計、制造工藝、試驗或應用等各階段。

服務對象 

電子元件、分?器件、機電類器件、線纜及接插件、微處理器、可編程邏輯器件、存儲器、AD/DA、總線接?類、通用數字電路、模擬開關、模擬器件、微波器件、電源類...

破壞性物理分析（DPA）：

使用前及時發(fā)現產品隱含缺陷；

判斷批次產品的品質（一致性）；

提供選用高可靠性元器件的依據，保證整機設備的可靠性；

判斷電子元器件產品的工藝、材料、設計和材料是否合格。

DPA主要分析項目：

外部目檢 Visual Inspection

X光檢查 X-ray Inspection

粒子噪聲PIND

物理檢查Physical Check

氣密性檢查Airproof Check

內部水汽Internal Vapor Analysis

開封Decap

內部目檢Internal Inspection

電鏡能譜SEM/EDAX

超聲波檢查 C－SAM

引出端強度 Terminal strength

拉拔力 Pull Test

切片Cross-section

粘接強度Attachment’s strength

鈍化層完整性Integrality Inspection for Glass Passivation

制樣鏡檢Sampling with Microscope

引線鍵合強度 bonding strength

接觸件檢查Contact Check

剪切強度測試Shear Test

破壞性物理分析（DPA）覆蓋標準體系

國軍標

GJB 4027A-2006 軍用電子元器件破壞性物理分析方法

GJB 548B-2005 微電子器件試驗方法和程序

GJB128A-97 半導體分立器件試驗方法

GJB 360B-2009 電子及電氣元件試驗方法

美軍標

MIL-STD-883H-2010 微電子器件試驗方法

MIL-STD-1580-2003 電子、電磁和機電產品的破壞性物理分析

MIL-STD-750D 半導體分析器件試驗方法

電子元器件失效分析（FA）

       通過電學、物理與化學等一系列分析技術手段獲得電子產品失效機理與原因的過程。

        基于獲得的失效機理和原因，可以采取針對性的改進措施，提升產品的可靠性與成品率，縮短研發(fā)周期，鑄就好的品牌，解決技術糾紛，節(jié)約成本等。

失效分析（FA）服務內容 

形貌分析技術：體視顯微鏡、金相顯微鏡、X射線透視、聲學掃描顯微鏡、掃描電鏡、透射電鏡、聚焦離子束。

成分檢測技術：X射線能譜EDX、俄歇能譜AES、二次離子質譜SIMS、光譜、色譜、質譜。

電分析技術：I-V曲線、半導體參數、LCR參數、集成電路參數、頻譜分析、ESD參數、電子探針、機械探針、絕緣耐壓、繼電器特性。

開封制樣技術：化學開封、機械開封、等離子刻蝕、反應離子刻蝕、化學腐蝕、切片。

缺陷定位技術：液晶熱點、紅外熱像、電壓襯度、光發(fā)射顯微像、OBIRCH。

覆蓋標準 

GJB 33A-1997半導體分立器件總規(guī)范；

GJB 65B-1999有可靠性指標的電磁繼電器總規(guī)范；

GJB 450A裝備可靠性工作通用要求；

GJB 536B-2011電子元器件質量保證大綱；

GJB 548B-2005微電子器件試驗方法和程序；

GJB 597A-1996半導體集成電路總規(guī)范；

GJB 841故障報告、分析和糾正系統(tǒng)；