西安長禾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司功率器件測試實(shí)驗(yàn)室(簡稱長禾實(shí)驗(yàn)室)位于西安市高新技術(shù)經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)，是一家從事功率半導(dǎo)體器件測試服務(wù)的高新技術(shù)企業(yè)，是CNAS 認(rèn)可實(shí)驗(yàn)室，屬于大功率器件測試服務(wù)中心。

長禾實(shí)驗(yàn)室擁有的系統(tǒng)設(shè)備的技術(shù)團(tuán)隊(duì)和完善的服務(wù)體系。實(shí)驗(yàn)室現(xiàn)有的測試儀器設(shè)備100余臺套測試人員20余名。我們緊跟國際國內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)，以客戶需求為導(dǎo)向，不斷創(chuàng)新服務(wù)項(xiàng)目和檢測技術(shù)，借助便利的服務(wù)網(wǎng)絡(luò)，為合作伙伴提供的技術(shù)服務(wù)。

長禾實(shí)驗(yàn)室專注于功率半導(dǎo)體器件的動、靜態(tài)參數(shù)檢測、可靠性檢測、失效分析、溫循試驗(yàn)、熱阻測試等領(lǐng)域的技術(shù)服務(wù)。業(yè)務(wù)范圍主要涉及國內(nèi)軌道交通、風(fēng)力發(fā)電、科研單位院所、工業(yè)控制船舶、航空航天、新能源汽車等行業(yè)。也是第三代半導(dǎo)體（寬禁帶半導(dǎo)體）應(yīng)用解決方案服務(wù)商。

長禾實(shí)驗(yàn)室秉承創(chuàng)新務(wù)實(shí)的經(jīng)營理念，為客戶提供的服務(wù)、完善的解決方案及的技術(shù)支持；同時(shí)注重與行業(yè)企業(yè)、高校和科研院所的合作與交流，測試技術(shù)與服務(wù)水平不斷提升。

開關(guān)特性測試（Switch）    

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、

GB/T 29332-2012；

試驗(yàn)對象：MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及模塊；

試驗(yàn)?zāi)芰Γ簷z測 大電壓：4500V 檢測 大電流：5000A

試驗(yàn)參數(shù)：開通/關(guān)斷時(shí)間ton/toff、上升/下降時(shí)間tr/tf、開通/關(guān)斷延遲時(shí)間td(on)/td(off)、開通/關(guān)斷損耗Eon/Eoff、電流尖峰Ic-peak max、電壓尖峰Vce-peak max、電壓變化率dv/dt、電流變化率di/dt；

反向恢復(fù)測試（Qrr）  

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、

GB/T 29332-2012；

試驗(yàn)對象：DIODE、MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及模塊；

試驗(yàn)?zāi)芰Γ簷z測 大電壓：4500V 檢測 大電流：5000A

試驗(yàn)參數(shù)：反向恢復(fù)電荷Qrr、反向恢復(fù)電流Irm、反向恢復(fù)時(shí)間Trr、反向恢復(fù)電流變化率diF/dt、反向恢復(fù)損耗Erec；

柵極電荷（Qg）    

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、

GB/T 29332-2012；

試驗(yàn)對象：MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及模塊；；

試驗(yàn)?zāi)芰Γ簷z測 大電壓：4500V 檢測 大電流：5000A

試驗(yàn)參數(shù)：柵極電荷Qg、漏極電荷Qgs、源極電荷Qgd；

短路耐量（SCSOA）   

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、

GB/T 29332-2012；

試驗(yàn)對象：DIODE、MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及IGBT模塊器件；

試驗(yàn)?zāi)芰Γ簷z測 大電壓：4500V 檢測 大電流：10000A

試驗(yàn)參數(shù)：短路電流Isc、短路時(shí)間Tsc、短路能量Esc；

結(jié)電容（Cg）  

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、

GB/T 29332-2012；

試驗(yàn)對象：MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及模塊；

試驗(yàn)?zāi)芰Γ侯l率：0.1-1MHz、檢測 大電壓：1500V；

試驗(yàn)參數(shù)：輸入電容Ciss、輸出電容Coss、反向傳輸電容Cres；

C-V曲線掃描  

輸入電容Ciss-V；

輸出電容Coss-V；

反向傳輸電容Cres-V；

柵極電阻（Rg）     

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、

GB/T 29332-2012；

試驗(yàn)對象：DIODE、MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及IGBT模塊器件；

試驗(yàn)?zāi)芰Γ簷z測 大電壓：1500V；

試驗(yàn)參數(shù)：柵極等效電阻Rg