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KSA BandiT 實(shí)時(shí)襯底溫度測(cè)試儀

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　　kSA BandiT實(shí)時(shí)襯底溫度測(cè)試儀是一種非接觸、實(shí)時(shí)測(cè)量半導(dǎo)體襯底表面溫度的測(cè)試系統(tǒng)，采用半導(dǎo)體材料吸收邊隨溫度的變化，實(shí)時(shí)測(cè)量晶片/襯底的溫度；并且kSA BandiT 已經(jīng)成功地安裝到眾多的MBE, MOCVD, Sputter, PLD等半導(dǎo)體沉積設(shè)備上，實(shí)現(xiàn)了晶片的溫度實(shí)時(shí)檢測(cè)。　　kSA BandiT多晶片溫度監(jiān)控軟件結(jié)合了自動(dòng)伺服馬達(dá)控制的掃描檢測(cè)功能,從而實(shí)現(xiàn)了MBE外延薄膜生長(zhǎng)過(guò)程中多襯底溫度實(shí)時(shí)Mapping檢測(cè)。　　該系統(tǒng)在外延薄膜生長(zhǎng)過(guò)程提供襯底/晶片實(shí)時(shí)的二維溫度信息的系統(tǒng)。對(duì)Wafer（及薄膜）表面溫度實(shí)時(shí)、非接觸、非入侵的直接檢測(cè)；采用溫度和半導(dǎo)體材料對(duì)光的吸收邊（譜帶能量）相關(guān)性原理，即材料的本征特性，使得測(cè)量結(jié)果更為準(zhǔn)確；可裝載到MBE、MOCVD、濺射、蒸發(fā)系統(tǒng)等和熱處理、退火設(shè)備上，進(jìn)行實(shí)時(shí)溫度檢測(cè)。　　kSA BandiT實(shí)時(shí)襯底溫度測(cè)試儀　　技術(shù)參數(shù)：　　溫度范圍：室溫~1300攝氏度；　　溫度重復(fù)性：0.2攝氏度；　　溫度分辨率：0.1攝氏度；　　穩(wěn)定性：+/-0.2攝氏度；　　主要特點(diǎn)：　　*實(shí)時(shí)、非接觸、非入侵、直接Wafer溫度監(jiān)測(cè)；　　*多基片/晶片表面2D溫度Mapping監(jiān)測(cè)；　　*真實(shí)的Wafer表面或薄膜溫度監(jiān)測(cè)；　　*整合了新的黑體輻射監(jiān)測(cè)技術(shù)；　　*沉積速率和薄膜厚度分析；　　*表面粗糙度分析功能；　　*測(cè)量波長(zhǎng)范圍可選（例如：可見(jiàn)光波段、近紅外波段等）　　*避免了發(fā)射率變化對(duì)測(cè)量的影響；　　*無(wú)需沉積設(shè)備Viewport特殊涂層；　　更多詳情請(qǐng)咨詢(xún)：http://www.julistech.com/SonList-2169551.html 　　https://www.chem17.com/st454219/erlist_2169551.html

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