芯片環(huán)境可靠性試驗(yàn)

高溫老化壽命試驗(yàn)(HTOL)

參考標(biāo)準(zhǔn)：JESD22-A108；

測(cè)試條件：

For devices containing NVM, endurance preconditioning must be performed before HTOL per Q100-005.

Grade 0: +150℃ Ta for 1000 hours.

Grade 1: +125℃ Ta for 1000 hours.

Grade 2: +105℃ Ta for 1000 hours.

Grade 3: +  85℃ Ta for 1000 hours.

Vcc (max) at which dc and ac parametric are guaranteed. Thermal shut-down shall not occur during this test.

TEST before and after HTOL at room, hot, and cold temperature.

高加速應(yīng)力試驗(yàn)(HAST)

參考標(biāo)準(zhǔn)：JESD22-A110；

測(cè)試條件：

Plastic Packaged Parts

Grade 0: +175℃ for 1000 hours or +150℃ for 2000 hours.

Grade 1: +150℃ for 1000 hours or +175℃ for   500 hours.

Grades 2 to 3: +125℃ for 1000 hours or +150℃ for   500 hours.

Ceramic Packaged Parts

    +250℃ for 10 hours or +200℃ for 72 hours.

TEST before and after HTSL at room and hot temperature.

* NOTE: Data from Test B3 (EDR) can be substituted for Test A6 (HTSL) if package and grade level requirements are met.

高溫存儲(chǔ)試驗(yàn)(HTSL)

參考標(biāo)準(zhǔn)：JESD22-A103 ；

測(cè)試條件：

Plastic Packaged Parts

Grade 0: +175℃ for 1000 hours or +150℃ for 2000 hours.

Grade 1: +150℃ for 1000 hours or +175℃ for   500 hours.

Grade 2 to 3: +125℃ for 1000 hours or +150℃ for   500 hours.

Ceramic Packaged Parts

    +250℃ for 10 hours or +200℃ for 72 hours.

TEST before and after HTSL at room and hot temperature.

* NOTE: Data from Test B3 (EDR) can be substituted for Test A6 (HTSL) if package and grade level requirements are met.

      廣州廣電計(jì)量檢測(cè)股份有限公司（GRGT）是原信息產(chǎn)業(yè)部電子602計(jì)量站，經(jīng)過(guò)50余年的發(fā)展，現(xiàn)已成為一家全國(guó)化、綜合性的國(guó)有第三方計(jì)量檢測(cè)機(jī)構(gòu)，專注于為客戶提供計(jì)量、檢測(cè)、認(rèn)證以及技術(shù)咨詢與培訓(xùn)等專業(yè)技術(shù)服務(wù)，在計(jì)量校準(zhǔn)、可靠性與環(huán)境試驗(yàn)、元器件篩選與失效分析檢測(cè)、車規(guī)元器件認(rèn)證測(cè)試、電磁兼容檢測(cè)等多個(gè)領(lǐng)域的技術(shù)能力及業(yè)務(wù)規(guī)模處于國(guó)內(nèi)領(lǐng)先水平。

GRGT目前具有以下芯片相關(guān)測(cè)試能力及技術(shù)服務(wù)能力：

芯片可靠性驗(yàn)證 ( RA)：

芯片級(jí)預(yù)處理(PC) & MSL試驗(yàn) 、J-STD-020 & JESD22-A113 ；

高溫存儲(chǔ)試驗(yàn)(HTSL), JESD22-A103 ；

溫度循環(huán)試驗(yàn)(TC), JESD22-A104 ；

溫濕度試驗(yàn)(TH / THB), JESD22-A101 ；

高加速應(yīng)力試驗(yàn)(HTSL / HAST), JESD22-A110；

高溫老化壽命試驗(yàn)(HTOL), JESD22-A108；

芯片靜電測(cè)試 ( ESD)：

人體放電模式測(cè)試(HBM), JS001 ；

元器件充放電模式測(cè)試(CDM), JS002 ；

閂鎖測(cè)試(LU), JESD78 ；

TLP；Surge / EOS / EFT；

芯片IC失效分析 ( FA)：

光學(xué)檢查(VI/OM) ；

掃描電鏡檢查(FIB/SEM)

微光分析定位(EMMI/InGaAs)；

OBIRCH ；Micro-probe;

聚焦離子束微觀分析(FIB)； 

彈坑試驗(yàn)(cratering) ；芯片開(kāi)封(decap) ；

芯片去層(delayer)；晶格缺陷試驗(yàn)(化學(xué)法)；

PN結(jié)染色 / 碼染色試驗(yàn)；

推拉力測(cè)試(WBP/WBS)；紅墨水試驗(yàn)：

PCBA切片分析(X-section)；

芯片材料分析：

高分辨TEM (形貌、膜厚測(cè)量、電子衍射、STEM、HAADF)；

SEM (形貌觀察、截面觀察、膜厚測(cè)量、EBSD)；

Raman (Raman光譜)；AFM (微觀表面形貌分析、臺(tái)階測(cè)量)；

芯片分析服務(wù)：

ESD / EOS實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)；

集成電路競(jìng)品分析；

AEC-Q100 / AEC-Q104開(kāi)展與技術(shù)服務(wù)；

未知污染物分析包括：化學(xué)成分組成分析、成分含量分析、分子結(jié)構(gòu)分析、晶體結(jié)構(gòu)分析等物理與化學(xué)特性分析材料理化特性全方位分析。鍍層膜層全方位分析 (鍍層膜層分析方案的制定與實(shí)施，包括厚度分析、元素組成分析、膜層剖面元素分析)；

GRGT團(tuán)隊(duì)技術(shù)能力：

•集成電路失效分析、芯片良率提升、封裝工藝管控

•集成電路競(jìng)品分析、工藝分析

•芯片級(jí)失效分析方案turnkey

•芯片級(jí)靜電防護(hù)測(cè)試方案制定與平臺(tái)實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)

•靜電防護(hù)失效整改技術(shù)建議

•集成電路可靠性驗(yàn)證

•材料分析技術(shù)支持與方案制定

半導(dǎo)體材料分析手法

芯片測(cè)試地點(diǎn)：廣電計(jì)量-廣州總部試驗(yàn)室、廣電計(jì)量-上海浦東試驗(yàn)室。

芯片測(cè)試業(yè)務(wù)咨詢及技術(shù)交流：

GRGT李工 138-0884-0060；

lisz@grgtest . com