芯片ESD/EOS測(cè)試（HBM、MM、CDM、LU）

    EOS/ESD造成的客退情形不曾間斷，IC過(guò)電壓承受能力較低，產(chǎn)品就有損壞風(fēng)險(xiǎn)。
    對(duì)成品廠商而言，除了要求IC供貨商測(cè)試到所要求的ESD防護(hù)等級(jí)，對(duì)于所選用的IC，其承受EOS的能力也更加關(guān)注。

GRGT技術(shù)服務(wù)

       廣電計(jì)量（GRGT）能協(xié)助您進(jìn)行測(cè)試 ，提供Test to Fail的驗(yàn)證與失效模式報(bào)告。藉此了解芯片組件脆弱點(diǎn)與靜電承受度，作為您后續(xù)系統(tǒng)設(shè)計(jì)、芯片電路設(shè)計(jì)調(diào)整、甚至后續(xù)RMA失效分析的依據(jù)。

• 人體放電模式(Human Body Mode)測(cè)試；
• 機(jī)器放電模式(Machine Mode) 測(cè)試；
• 組件充/放電模式(Charged Device Mode) 測(cè)試；
• 制具式組件充/放電模式(Socket -Charge Device Mode) 測(cè)試；
• 閂鎖效應(yīng)(Latch-up) 測(cè)試；
• 靜電放電閂鎖測(cè)式(Transient-Induced Latch up)；
• 系統(tǒng)級(jí)靜電放電模式 (System ESD Test–ESD GUN TEST)；
• 測(cè)試ESD I-V Curve量測(cè)；
• 過(guò)度電性應(yīng)力EOS (Electrical Overstress)測(cè)試；

GRGT服務(wù)優(yōu)勢(shì)

• 豐富的ESD測(cè)試經(jīng)驗(yàn)：提供有效的測(cè)試方案，讓您能輕易找出產(chǎn)品問(wèn)題點(diǎn).
• 快速交期：三班制24小時(shí)運(yùn)作.
• 測(cè)試結(jié)果準(zhǔn)確度：靜電測(cè)試設(shè)備搭配自主建立之設(shè)備維修保養(yǎng)機(jī)制定期定檢保障設(shè)備輸出，將可協(xié)助客戶取得高精準(zhǔn)度之測(cè)試結(jié)果，降低設(shè)備不正常輸出造成的測(cè)試結(jié)果差異。

參考規(guī)范

MIL-STD(美國(guó)軍規(guī)標(biāo)準(zhǔn))

EIA/JEDEC(固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)規(guī)范)

AEC(汽車電子協(xié)會(huì)規(guī)范)

IEC(國(guó)際電工委員會(huì))

JEITA(日本靜電防護(hù)規(guī)章)

公司簡(jiǎn)介：

       廣州廣電計(jì)量檢測(cè)股份有限公司（GRGT）是原信息產(chǎn)業(yè)部電子602計(jì)量站，經(jīng)過(guò)50余年的發(fā)展，現(xiàn)已成為一家全國(guó)化、綜合性的國(guó)有第三方計(jì)量檢測(cè)機(jī)構(gòu)，專注于為客戶提供計(jì)量、檢測(cè)、認(rèn)證以及技術(shù)咨詢與培訓(xùn)等專業(yè)技術(shù)服務(wù)，在計(jì)量校準(zhǔn)、可靠性與環(huán)境試驗(yàn)、元器件篩選與失效分析檢測(cè)、車規(guī)元器件認(rèn)證測(cè)試、電磁兼容檢測(cè)等多個(gè)領(lǐng)域的技術(shù)能力及業(yè)務(wù)規(guī)模處于國(guó)內(nèi)領(lǐng)先水平。

GRGT目前具有以下芯片相關(guān)測(cè)試能力及技術(shù)服務(wù)能力：

芯片可靠性驗(yàn)證 ( RA)：

芯片級(jí)預(yù)處理(PC) & MSL試驗(yàn) 、J-STD-020 & JESD22-A113 ；

高溫存儲(chǔ)試驗(yàn)(HTSL), JESD22-A103 ；

溫度循環(huán)試驗(yàn)(TC), JESD22-A104 ；

溫濕度試驗(yàn)(TH / THB), JESD22-A101 ；

高加速應(yīng)力試驗(yàn)(HTSL / HAST), JESD22-A110；

高溫老化壽命試驗(yàn)(HTOL), JESD22-A108；

芯片靜電測(cè)試 ( ESD)：

人體放電模式測(cè)試(HBM), JS001 ；

元器件充放電模式測(cè)試(CDM), JS002 ；

閂鎖測(cè)試(LU), JESD78 ；

TLP；Surge / EOS / EFT；

芯片IC失效分析 ( FA)：

光學(xué)檢查(VI/OM) ；

掃描電鏡檢查(FIB/SEM)

微光分析定位(EMMI/InGaAs)；

OBIRCH ；Micro-probe;

聚焦離子束微觀分析(FIB)； 

彈坑試驗(yàn)(cratering) ；芯片開(kāi)封(decap) ；

芯片去層(delayer)；晶格缺陷試驗(yàn)(化學(xué)法)；

PN結(jié)染色 / 碼染色試驗(yàn)；

推拉力測(cè)試(WBP/WBS)；紅墨水試驗(yàn)：

PCBA切片分析(X-section)；

芯片材料分析：

高分辨TEM (形貌、膜厚測(cè)量、電子衍射、STEM、HAADF)；

SEM (形貌觀察、截面觀察、膜厚測(cè)量、EBSD)；

Raman (Raman光譜)；AFM (微觀表面形貌分析、臺(tái)階測(cè)量)；

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芯片檢測(cè)業(yè)務(wù)：

李紹政 13808840060；020-66837067

lisz@grgtest.com