芯片F(xiàn)T測(cè)試:電流電壓參數(shù)測(cè)試、性能測(cè)試

      芯片F(xiàn)T測(cè)試（Final Test 簡(jiǎn)稱FT）是指芯片在封裝完成后以及在芯片成品完成可靠性驗(yàn)證后對(duì)芯片進(jìn)行測(cè)功能驗(yàn)證、電參數(shù)測(cè)試。主要的測(cè)試依據(jù)是集成電路規(guī)范、芯片規(guī)格書、用戶手冊(cè)。

      目前芯片F(xiàn)T測(cè)試主要用到ATE測(cè)試系統(tǒng)，包括軟件和測(cè)試設(shè)備、測(cè)試硬件。FT測(cè)試主要測(cè)試項(xiàng)目如下：

• Open/Short test: 檢查芯片引腳中是否有開路或短路。
• Function test: 測(cè)試芯片的邏輯功能。
• DC test: 驗(yàn)證器件直流電流和電壓參數(shù)。
• AC test: 驗(yàn)證交流規(guī)格，包括交流輸出信號(hào)的質(zhì)量和信號(hào)時(shí)序參數(shù)。
•  Eflash test: 測(cè)試內(nèi)嵌flash的功能及性能，包含讀寫擦除動(dòng)作及功耗和速度等各種參數(shù)。
• Mixed Signal test: 驗(yàn)證DUT數(shù)?；旌想娐返墓δ芗靶阅軈?shù)。
• RF test: 測(cè)試芯片里面RF模塊的功能及性能參數(shù)。