各類腐蝕試驗/晶間腐蝕/鹽霧腐蝕/應力腐蝕/抗硫抗氫腐蝕，專業(yè)材料腐蝕檢驗機構(gòu)，權(quán)威檢測報告，歡迎來電咨詢。成女士：18961839066 座機：0510-82031605   QQ：2946662750郵箱：195@rd-test.com 

沿著邊界發(fā)生的選擇性腐蝕稱為晶間腐蝕,因為金屬的最穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)是它特有的結(jié)晶點陣,晶界則是晶粒間的錯接區(qū),因而晶界是高能區(qū),具有更強的化學活性,一般晶界比晶粒腐蝕得快。若晶界明顯活潑得多，就產(chǎn)生晶間腐蝕，其含義是晶界或其臨近產(chǎn)生局部腐蝕，至于具體腐蝕原因和過程，則依不同的合金而異。
18-8奧氏體不銹鋼在500～800攝氏度溫度范圍內(nèi)加熱后，變得敏化，易于發(fā)生晶間腐蝕，幾乎一致認為，奧氏體不銹鋼晶間腐蝕的理論是基于晶界貧鉻。普通的18-8不銹鋼，一般含碳量為0.06～0.08％。當含碳量約為0.02％或更高時，在500～800攝氏度范圍內(nèi)，Cr23C6實際上不固溶，并從固體中沉淀出來，結(jié)果使與晶界臨近的金屬中的鉻含量降低，貧鉻區(qū)發(fā)生腐蝕。防止或減緩晶間腐蝕的措施：a.選用抗晶間腐蝕的合金;
b.選擇合適的熱處理工藝，如鋁合金過時效處理；c.在確定焊接工藝，鋁合金膠接及銑切工藝，回避容易產(chǎn)生晶間腐蝕的溫度下處理。

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晶間腐蝕檢測：金屬晶界區(qū)域的溶解速度遠大于晶粒本體的溶解速度時，就會產(chǎn)生晶間腐蝕，產(chǎn)生原因主要是金屬晶界區(qū)的物質(zhì)同晶粒本體的電化學性質(zhì)有差異（外在要具有適當?shù)慕橘|(zhì)在該介質(zhì)條件下足以顯示出晶界物質(zhì)同晶粒本體之間的電化學性質(zhì)差異，而這種差異引起不等速溶解）。當固溶處理后的奧氏體不銹在500~850溫度范圍內(nèi)加熱時過飽和的碳就要全部或部分地從奧氏體中析出，形成鉻地碳化物，分布在晶界上，析出的碳化鉻的含鉻量比奧氏體基體的含鉻量高得多，含鉻量這樣高的碳化晶界析出必然使碳化物附近的晶界區(qū)貧鉻，形成貧鉻區(qū)，貧鉻區(qū)的電解密度比晶粒本體溶解電解密度大很多，從而使貧鉻區(qū)優(yōu)先溶解，產(chǎn)生晶間腐蝕。