聯(lián)系電話：13265835731 吳經(jīng)理  
測試流程：

1、在樣品斷電的狀態(tài)下，先將溫度下降到-50°C，保持4個小時;請勿在樣品通電的狀態(tài)下進行低溫測試，非常重要，因為通電狀態(tài)下，芯片本身就會產(chǎn)生+20°C以上溫度，所以，在通電狀態(tài)下，通常比較容易通過低溫測試，必須先將其“凍透”，再次通電進行測試。

2、開機，對樣品進行性能測試，對比性能與常溫相比是否正常。

3、進行老化測試，觀察是否有數(shù)據(jù)對比錯誤。

4、升溫到+90°C，保持4個小時，與低溫測試相反，升溫過程不斷電，保持芯片內(nèi)部的溫度一直處于高溫狀態(tài)，4個小時后，執(zhí)行2、3、4測試步驟。

5、高溫和低溫測試分別重復10次。

如果測試過程出現(xiàn)任何一次不能正常工作的狀態(tài)，則視為測試失敗。

5、高溫和低溫測試分別重復10次。

如果測試過程出現(xiàn)任何一次不能正常工作的狀態(tài)，則視為測試失敗。

參考標準：

GB/T2423.1-2008試驗A：低溫試驗方法

GB/T2423.2-2008試驗B：高溫試驗方法

聯(lián)系電話：13265835731 吳經(jīng)理