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西安天光測控技術有限公司

檢測認證人脈交流通訊錄

天光測控IGBT開關參數(shù)測系統(tǒng)IGBT參數(shù)測試儀

  • 這真不是您需要的產品？
  • 品　　牌：
  • 天光測控
  • 主要規(guī)格：
  • ST-AC1200_X
  • 用　　途：
  • 用于測試器件級的 Diode,IGBT,MOSFET動態(tài)交流參數(shù)，替代ITC57300，多項功能及指標優(yōu)于ITC57300

    • ?

      ?

      IGBT開關參數(shù)測系統(tǒng)
      ST-AC1200_X


      ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 用于測試器件級的?Diode,IGBT,MOSFET動態(tài)交流參數(shù)

      ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?1200V/100A，短路電流2500A

      ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 替代ITC57300，多項功能及指標優(yōu)于ITC57300

      ? IGBT開關參數(shù)測系統(tǒng)技術規(guī)格

      基礎能力

      1. *大輸出能力：電壓1200V電流200A

      2. *小時間測量值：0.1ns

      3. Windows系統(tǒng)的控制計算機水印簽字*西安天光測控*水印簽字

      4. LabVIEW軟件界面水印簽字*西安天光測控*水印簽字
      物理規(guī)格

      1. 單機尺寸：800×800×1800mm水印簽字*西安天光測控*水印簽

      2. 質 量：165kg水印簽字*西安天光測控*水印簽字

      3. 系統(tǒng)功耗：200w
      ST-AC1200_S_R
      開關時間（阻性）測試單元?
      美軍標750
      方法為3472

      1. 脈寬：0.1us~100us步進0.1μs

      2. 柵極電壓：0~20V，分辨率0.1V

      3. 柵極電流*大10A水印簽字*西安天光測控*水印簽字

      4. 漏極電流*大75A（支持擴展200A、500A）

      5. 占空比小于0.1%水印簽字*西安天光測控*水印簽字

      6. VDD/漏極電壓 ?5V~100 V分辨率0.1V

      ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?100 V~1200V分辨率1.0V
      ST-AC1200_D
      反向恢復特性測試單元?
      美軍標750
      方法3473

      1. IF/正向電流：0.1~50A@0.1A分辨率

      ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?50~200A@0.5A分辨率

      1. di/dt/反向電流斜率：25-600A/uS? 1.0A/ns Steps

      2. VR/反向電壓：20~1200V

      3. IRM/反向電流：總正向和反向*大電流200A以內。

      4. 占空比：＜1.0%水印簽字*西安天光測控*水印簽字

      5. TRR/反向恢復時間范圍：1ns~2us

      6. VDD/漏極電壓：5V~100 V，0.1V Steps

      ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 100V~1200 V，1.0V Steps

      1. Qrr/反向恢復電荷：0.1nC~100uC
      ST-AC1200_Q
      柵電荷測試單元????
      美軍標750，
      方法3471

      1. 柵極電流：0~10mA@10uA分辨率

      2. 柵級電壓：0~20V@0.1V分辨率

      3. 漏極電流（固態(tài)負載）：1~25A@0.1A分辨率

      4. 分辨率水印簽字*西安天光測控*水印簽字

      5. 漏極電壓：5V~100 V，0.1V Steps

      ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?100V~1200 V，1.0V Steps
      ST-AC1200_S_L
      開關時間（感性）測試單元
      美軍標750，
      方法3477

      1. 漏極電流：1.0~50A@0.2A分辨率

      2. 分辨率水印簽字*西安天光測控*水印簽字

      3. 電感：0.1mH至159.9mH

      4. 柵極電壓：0~20V@0.1V分辨率

      5. 漏極電壓：5V~100V，0.1V Steps

      6. ，1.0V Steps
      ST-AC1200_S
      短路特性測試單元
      美軍標750，
      方法3479

      1. *大電流：標配200A（選配1000A）

      2. 脈寬：1us~100us

      3. 柵極電壓：0~20V@0.1V分辨率

      4. 漏極電壓5V~100V，0.1V Steps

      100V~1200 V，1.0V Steps
      ST-AC1200_RC
      柵電阻結電容測試單元?
      JEDEC Std
      JESD24-11

      1. Rg/柵電阻：0.1~100Ω水印簽字*西安天光測控*水印簽字

      2. 結電容參數(shù)：Ciss，Coss，Crss

      3. 漏極偏置電壓：1200V*大

      4. 柵極偏置電壓：0~20V@0.1V分辨率

      5. 頻率：標配0.1MHZ~1MHZ
      電網(wǎng)環(huán)境

      1. AC220V±10%，50Hz±1Hz。水印簽字*西安天光測控*水印簽字


      MOSFET動態(tài)參數(shù)測試儀主要用于測試二極管、IGBT、MOS動態(tài)特性參數(shù)，產品功能指標對標ITC57300,對標資料如下。

      ?資料說明：

      • 對比內容：半導體分立器件動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)

      • 對比廠商：美國ITC公司（下文簡稱ITC）、西安天光測控技術有限公司（下文簡稱西安天光）

      • 對比型號：ITC/ITC57300、西安天光/ST-AC1200_X

      ? ?MOSFET動態(tài)參數(shù)測試儀?以ITC57300作為參考標準，西安天光的產品資料中“藍色字體”為西安天光的減分項（指標低于ITC57300），“紅色字體”為西安天光的加分項（指標高于ITC57300），“黑色字體”表示雙方指標一致。
      ?

      美國ITC公司
      ITC57300      		 西安天光測控技術有限公司
      ST-AC1200_X
      基礎能力*大輸出能力：電壓1200V電流200A*小時間測量值：1.0nsWindows系統(tǒng)的控制計算機LabVIEW軟件界面水印簽字*西安天光測控*水印簽字物理規(guī)格高=76英寸寬=44英寸(包括顯示器和鍵盤)深=50英寸(包括接收器)重=550磅ITC57210開關時間（阻性）測試單元美軍標750方法為3472脈寬：0.1μs~10μs 步進0.1μs柵極電壓±20V分辨率0.1V柵極電流*大1.0A漏極電流*大200A占空比小于0.1%VDD/漏極電壓 ?5V~100 V分辨率0.1V? ? ? ? ? 100 V~1200V分辨率1.0V水印簽字*西安天光測控*水印簽字ITC57220反向恢復特性測試單元美軍標750方法3473IF/正向電流：ITC5722B：1.0~50A@0.2A分辨率分辨率di/dt/反向電流斜率：25-600A/uS? 1.0A/ns StepsVR/反向電壓：20~1200VIRM/反向電流：總正向和反向*大電流200A以內。占空比：＜1.0%TRR/反向恢復時間范圍：10ns~2.0usVDD/漏極電壓：5V~100 V，0.1V Steps100V~1200 V，1.0V StepsQrr/反向恢復電荷：1nc~100uC水印簽字*西安天光測控*水印簽字ITC57230柵電荷測試單元美軍標750方法3471柵極電流：低0~2.0mA@0.01mA分辨率中2.0~20.0mA@0.1mA分辨率20.0~200.0 mA@1.0mA分辨率柵電壓范圍：±20V@±0.1V分辨率漏極電流（固態(tài)負載）：1~25A@0.1A分辨率分辨率漏極電壓：5V~100 V，0.1V Steps100V~1200 V，1.0V Steps水印簽字*西安天光測控*水印簽字ITC57240開關時間（感性）測試單元美軍標750方法3477漏極電流：1.0~50A@0.2A分辨率分辨率電感：0.1mH至159.9mH柵極電壓：±20V@0.1V分辨率漏極電壓：5V~100V，0.1V Steps，1.0V Steps水印簽字*西安天光測控*水印簽字ITC57250短路特性測試單元美軍標750方法3479*大電流：1000A脈寬：1us~100us柵驅電壓：±20V@0.1V分辨率漏極電壓5V~100V，0.1V Steps100V~1200 V，1.0V Steps水印簽字*西安天光測控*水印簽字ITC57260柵電阻結電容測試單元JEDEC StdJESD24-11Rg/柵電阻：0.1~50mΩ結電容參數(shù)：Ciss，Coss，Crss漏極偏置電壓：1200V*大柵極偏置電壓：±20V頻率：0.1MHZ~4MHZ電網(wǎng)環(huán)境220V 50~60 Hz單相 ?可選擇240V220V/12A? 20A? 30A水印簽字*西安天光測控*水印簽字 基礎能力*大輸出能力：電壓1200V電流200A*小時間測量值：0.1nsWindows系統(tǒng)的控制計算機LabVIEW軟件界面水印簽字*西安天光測控*水印簽字物理規(guī)格單機尺寸：800×800×1800mm質 量：165kg系統(tǒng)功耗：200wST-AC1200_S_R開關時間（阻性）測試單元????????美軍標750方法為3472脈寬：0.1us~100us步進0.1μs柵極電壓：0~20V，分辨率0.1V柵極電流*大10A漏極電流*大75A（支持擴展200A、500A）占空比小于0.1%VDD/漏極電壓 ?5V~100 V分辨率0.1V? ? ? ? ? ? ? ?100 V~1200V分辨率1.0V水印簽字*西安天光測控*水印簽字ST-AC1200_D反向恢復特性測試單元???????美軍標750方法3473IF/正向電流：0.1~50A@0.1A分辨率50~200A@0.5A分辨率di/dt/反向電流斜率：25-600A/uS? 1.0A/ns StepsVR/反向電壓：20~1200VIRM/反向電流：總正向和反向*大電流200A以內。占空比：＜1.0%TRR/反向恢復時間范圍：1ns~2usVDD/漏極電壓：5V~100 V，0.1V Steps100V~1200 V，1.0V StepsQrr/反向恢復電荷：0.1nC~100uC水印簽字*西安天光測控*水印簽字ST-AC1200_Q柵電荷測試單元???美軍標750，方法3471柵極電流：0~10mA@10uA分辨率柵級電壓：0~20V@0.1V分辨率漏極電流（固態(tài)負載）：1~25A@0.1A分辨率水印簽字*西安天光測控*水印簽字漏極電壓：5V~100 V，0.1V Steps100V~1200 V，1.0V StepsST-AC1200_S_L開關時間（感性）測試單元美軍標750，方法3477漏極電流：1.0~50A@0.2A分辨率分辨率電感：0.1mH至159.9mH? ?柵極電壓：0~20V@0.1V分辨率漏極電壓：5V~100V，0.1V Steps，1.0V Steps水印簽字*西安天光測控*水印簽字ST-AC1200_S短路特性測試單元美軍標750，方法3479*大電流：標配200A（選配1000A）脈寬：1us~100us柵極電壓：0~20V@0.1V分辨率漏極電壓5V~100V，0.1V Steps100V~1200 V，1.0V Steps水印簽字*西安天光測控*水印簽字ST-AC1200_RC柵電阻結電容測試單元???????JEDEC StdJESD24-11Rg/柵電阻：0.1~100Ω結電容參數(shù)：Ciss，Coss，Crss漏極偏置電壓：1200V*大柵極偏置電壓：0~20V@0.1V分辨率頻率：標配0.1MHZ~1MHZ（￥3W）0.1MHZ~4MHZ（￥15W）?水印簽字*西安天光測控*水印簽字電網(wǎng)環(huán)境AC220V±10%，50Hz±1Hz。
      ?
      其它測試功能（加分項）

      • 雪崩特性測試單元

      • EAS

      • IAS

      • PAS

      • di/dt測試單元

      • dv/dt測試單元

      • 靜態(tài)參數(shù)測試單元（可測試IGBT、MOSFET、二極管的靜態(tài)直流參數(shù)）

      • 安全工作區(qū)/RBSOA

      • 熱阻（包括穩(wěn)態(tài)熱阻和瞬態(tài)熱阻）


      產品系列

      晶體管圖示儀
      半導體分立器件測試篩選系統(tǒng)
      靜態(tài)參數(shù)（包括 IGEs / VGE(th) / VCEsat / VF / ICEs / VCEs等）
      動態(tài)參數(shù)（包括 Turn_ON&OFF_L / Qrr_FRD / Qg / Rg / UIS / SC / RBSOA等）
      環(huán)境老化（包括 HTRB / HTGB / H3TRB / Surge等）
      熱特性（包括 PC / TC / Rth / Zth / Kcurve等）
      可測試 Si / SiC / GaN 材料的 ?IGBTs ?/ ?MOSFETs ?/ ?DIODEs ?/ ?BJTs ?/ ?SCRs等功率器件

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