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雪崩參量測(cè)試儀

這真不是您需要的產(chǎn)品？
品　　牌：
華科智源

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出廠價(jià)：
60000

主要規(guī)格：

用　　途：
igbt測(cè)試，mos，二三極管，晶體管測(cè)試

ITC55100雪崩能量測(cè)試儀是原成功產(chǎn)品ITC5510的升級(jí)版本，它能執(zhí)行ITC5510系列的所有測(cè)試，同時(shí)增加了許多功能，如提高測(cè)試精度，測(cè)試結(jié)果的收集，查看測(cè)試結(jié)果，連接多個(gè)被測(cè)品。ITC55100可以用來(lái)對(duì)功率MOSFET和IGBT的耐用性測(cè)試。它還能測(cè)試單，雙二極管，使用ITC55 RSF輸出選擇器盒還可以測(cè)量IGBT的正向和反向偏置。品牌：華科智源名稱：雪崩能量測(cè)試儀型號(hào)： ITC55100 用途：用于 IGBT、FRD、MOS器件單脈沖及重復(fù)脈沖雪崩能量測(cè)試產(chǎn)品詳情 ITC55100雪崩能量測(cè)試儀是原成功產(chǎn)品ITC5510的升級(jí)版本，它能執(zhí)行ITC5510系列的所有測(cè)試，同時(shí)增加了許多功能，如提高測(cè)試精度，測(cè)試結(jié)果的收集，查看測(cè)試結(jié)果，連接多個(gè)被測(cè)品。ITC55100可以用來(lái)對(duì)功率MOSFET和IGBT的耐用性測(cè)試。它還能測(cè)試單，雙二極管，使用ITC55 RSF輸出選擇器盒還可以測(cè)量IGBT的正向和反向偏置。測(cè)試模式單脈沖松開(kāi)電感的開(kāi)關(guān)（UIS）單脈沖雪崩應(yīng)力（EAS）重復(fù)性雪崩能量（EAR）重復(fù)脈沖故障（RPF）執(zhí)行的測(cè)試連續(xù)性測(cè)試裝置的插座和/或接觸 DC零柵極偏置漏 - 源泄漏測(cè)試 - 前，后的雪崩功能設(shè)備測(cè)試雪崩測(cè)試特點(diǎn) 單路/雙路設(shè)備測(cè)試 N溝道，P溝道，混合全固態(tài)切換 - 無(wú)需繼電器更快的測(cè)試電流范圍：0.1A至200A，0.1A步驟雪崩電壓至2500V 觸摸屏程序進(jìn)入/控制波形捕獲/顯示內(nèi)部測(cè)試程序存儲(chǔ)（20個(gè)文件）高速電感充電，減少了測(cè)試時(shí)間可編程漏電測(cè)試電壓前置/后置雪崩泄漏測(cè)試雪崩折疊測(cè)試多功能測(cè)試處理器控制 15硬件排序箱改進(jìn)的電壓/電流精度通過(guò)Flash下載軟件更新高速RS-485 PTNet接口控制參數(shù)輸入密碼使用所有ITC電感負(fù)載箱接口與ITC55MUX4 ITC55 RSF 內(nèi)置自我測(cè)試安全特性測(cè)試時(shí)間過(guò)量的泄漏關(guān)閉外部安全鎖定兩個(gè)并聯(lián)的手動(dòng)啟動(dòng)按鈕不斷監(jiān)測(cè)設(shè)備的電流。如果電流超過(guò)或未能達(dá)到測(cè)試終止指定或計(jì)算時(shí)間的可編程水平。

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