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半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備

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品　　牌：
華科智源

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1

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用　　途：
廣泛應(yīng)用于器件設(shè)計(jì)，封裝測(cè)試，軌道交通，電動(dòng)汽車，風(fēng)力發(fā)電，變頻器，焊機(jī)等

華科智源HUSTEC-1600A-MT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試，還可以測(cè)量大功率二極管、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管，MOS管等器件的 V-I 特性測(cè)試，測(cè)試1200A（可擴(kuò)展至2000A），5000V以下的各種功率器件，廣泛應(yīng)用于軌道交通，電動(dòng)汽車，風(fēng)力發(fā)電，變頻器，焊機(jī)行業(yè)的IGBT來料選型和失效分析，設(shè)備還可以用于變頻器，風(fēng)電，軌道交通，電焊機(jī)等行業(yè)的在線檢修，無需從電路板上取下來進(jìn)行單獨(dú)測(cè)試，可實(shí)現(xiàn)在線IGBT檢測(cè)，測(cè)試方便，測(cè)試過程簡(jiǎn)單，既可以在測(cè)試主機(jī)里設(shè)置參數(shù)直接測(cè)試，又可以通過軟件控制主機(jī)編程后進(jìn)行自動(dòng)測(cè)試，通過電腦操作完成 IGBT 的靜態(tài)參數(shù)測(cè)試；產(chǎn)品信息： 1、產(chǎn)品型號(hào)及名稱：IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀 2、產(chǎn)品測(cè)試電流電壓為1600A,±5000V,向下兼容 3、VGE最高可達(dá)±100V；開啟電壓VGETH支持兩種測(cè)試方法； 4、采用插槽式設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，便于升級(jí)和維護(hù)； 5、設(shè)備支持SI基，SIC材料的MOS管，IGBT單管及模塊，二極管測(cè)試，晶閘管測(cè)試， 6、自動(dòng)進(jìn)行分檔測(cè)試，既覆蓋大功率特征下的測(cè)試范圍，又可保證小功率器件測(cè)試精度 7、支持單點(diǎn)測(cè)試，I-V曲線掃描，還具有曲線對(duì)比功能； 8、測(cè)試數(shù)據(jù)可存儲(chǔ)為Excel文件，WORD報(bào)告 9、安全性，防爆，防觸電，防燙傷，短路保護(hù)等多重保護(hù)措施，確保操作人員、設(shè)備、數(shù)據(jù)及樣品安全。測(cè)試參數(shù)： ICES 集電極-發(fā)射極漏電流 IGESF 正向柵極漏電流 IGESR 反向柵極漏電流 BVCES 集電極-發(fā)射極擊穿電壓 VGETH 柵極-發(fā)射極閾值電壓 VCESAT 集電極-發(fā)射極飽和電壓 ICON 通態(tài)電極電流 VGEON 通態(tài)柵極電壓 VF 二極管正向?qū)▔航? 整個(gè)測(cè)試過程自動(dòng)完成，電腦軟件攜帶數(shù)據(jù)庫管理查詢功能，可生成測(cè)試曲線，方便操作使用基礎(chǔ)能力： 1) 測(cè)試電壓范圍：0-±5000V 2) 測(cè)試電流范圍：0-±1600A 3) 測(cè)試柵極電壓范圍：0-±100V 4) 電壓分辨率：0.1mV 5) 電流分辨率：0.1nA 測(cè)試種類及參數(shù)：（1）Diode（支持 Si ,SiC , GaN 材料器件）靜態(tài)參數(shù)：BVR/擊穿電壓、IR/漏電流、VF/正向壓降；（2）MOSFET（支持 Si ,SiC , GaN 材料器件）靜態(tài)參數(shù)：BVDSS/漏源極擊穿電壓，VGS(th)/柵極開啟電壓，IDSS 漏源極漏電流、VF/二極管正向壓降；Rdson 內(nèi)阻（3）IGBT單管及模塊（支持 Si ,SiC , GaN 材料器件）靜態(tài)參數(shù)：BVCES/集射極擊穿電壓，VGE(th)/柵極開啟電壓、ICES/集射極漏電流、VF/二極管正向壓降；VCESAT/飽和壓降，IGESR,IGESF 柵極漏電流

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