磁控濺射系統(tǒng)

　　主要技術(shù)指標(biāo)：真空度達(dá)1X10-6乇，襯底溫度可達(dá)100度直流濺射電源功率1000瓦　　功能/應(yīng)用范圍：有2個DC濺射靶，可以在真空狀態(tài)下濺射生成一類材料薄膜或多層不同薄膜，...

復(fù)旦大學(xué)材料科學(xué)系

雙束聚焦離子束系統(tǒng)

　　主要技術(shù)指標(biāo)：離子束：30kv分辨率7nm，加速電壓2-30kv。電子束：鎢燈絲電子槍　　功能/應(yīng)用范圍：材料微細(xì)加工及樣品制備。　　主要測試和研究領(lǐng)域：材料/珠寶首飾電子/信息...

復(fù)旦大學(xué)材料科學(xué)系

磁控濺射裝置

　　主要技術(shù)指標(biāo)：真空度<1e-6mBar，薄膜淀積速率1~10nm/min 　　功能/應(yīng)用范圍：離子束濺射，可用于金屬薄膜淀積和樣品物理刻蝕 　　主要測試和研究領(lǐng)域...

復(fù)旦大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院

飛秒激光器系統(tǒng)

　　主要技術(shù)指標(biāo)：重復(fù)頻率1KHz,單脈沖能量600微焦耳，脈沖寬度50fs　　功能/應(yīng)用范圍：超快光譜學(xué)、非線性光學(xué)　　主要測試和研究領(lǐng)域：電子/信息技術(shù)　　收費標(biāo)準(zhǔn)：其它收...

復(fù)旦大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院

納米器件濺射儀

主要技術(shù)指標(biāo)：樣品尺寸為4寸硅片濺射室極限真空優(yōu)于1.210-6Pa，進(jìn)樣室(loadlock)真空優(yōu)于6.710-4Pa淀積薄膜厚度均勻性優(yōu)于3%襯底可加熱，溫度最高可達(dá)800oC 功能/應(yīng)用范...

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存儲薄膜濺射儀

　　主要技術(shù)指標(biāo)：極限真空：成膜室1.210-6Pa(loadlock)準(zhǔn)備室6.710-4Pa樣品尺寸：4寸(1片/次)可通3路氣體：Ar、N2、O2(50sccm)?？勺銎胀R射、共濺射和反應(yīng)濺射，可對樣...

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電子束蒸發(fā)系統(tǒng)

主要技術(shù)指標(biāo)：電子槍功率3kW，本底真空10E-9Torr，6寸旋轉(zhuǎn)樣品托(可液氮冷卻)，坩堝5*2.24cc　　功能/應(yīng)用范圍：蒸鍍各種金屬薄膜　　主要測試和研究領(lǐng)域：電子/信息技...

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