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儀器類別:
應(yīng)用領(lǐng)域:
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主要技術(shù)指標(biāo)：點分辨率:0.19nm晶格分辨率:0.10nm掃描透射晶格分辨率:0.2nm能譜能量分辨率：136eV功能/應(yīng)用范圍：1.微結(jié)構(gòu)研究：材料的形貌、缺陷和界面的分析；包括衍襯成...
上海楊浦區(qū)
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主要技術(shù)指標(biāo)：5X--100X物鏡光學(xué)鏡頭， 功能/應(yīng)用范圍：材料型貌觀察。 主要測試和研究領(lǐng)域：材料/珠寶 首飾電子/信息技術(shù) 收費標(biāo)準(zhǔn)：其它收費方...
上海楊浦區(qū)
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主要技術(shù)指標(biāo)：1.點分辨率2.3A；2.信息分辨率1A；3.場發(fā)射電子槍；4.2k′2kCCD替代普通相機；5.最小束斑直徑1nm 功能/應(yīng)用范圍：1.微觀形貌結(jié)構(gòu)觀測；2.在位成分...
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主要技術(shù)指標(biāo)：掃描范圍100um(微米)，縱向分辨率優(yōu)于1A(埃)，橫向分辨率優(yōu)于1nm(納米)?！ 」δ?應(yīng)用范圍：掃描探針顯微鏡(SPM)的納米量級的分辨率和光學(xué)顯微鏡的...
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主要技術(shù)指標(biāo)：2nm 功能/應(yīng)用范圍：1.利用二次電子成像，對各種固體樣品表面進行高分辨形貌觀察。2.利用背散射電子成像，生成化學(xué)成分分布圖像。3.用x射線能譜儀，在...
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主要技術(shù)指標(biāo)：(1)深度分辨率：幾個納米；(2)空間分辨率：<一個微米；(3)質(zhì)量分辨率：m/m5000(4)檢測靈敏度：ppmppb；(5)絕緣層厚度為幾個微米的樣品質(zhì)譜分析 功能...
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主要技術(shù)指標(biāo)：波長范圍190-1000nm,功能/應(yīng)用范圍：測量薄膜折射率,消光系數(shù)和薄膜厚度主要測試和研究領(lǐng)域：材料/珠寶首飾電子/信息技術(shù)收費標(biāo)準(zhǔn)：其它收費...
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主要技術(shù)指標(biāo)：加速電壓0.5-30kv，15kv分辨率1.0nm?！ 」δ?應(yīng)用范圍：材料及微電子、光電子器件微區(qū)形貌觀察及組份分析?！ ≈饕獪y試和研究領(lǐng)域：材料/珠寶首飾電子/信息...
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主要技術(shù)指標(biāo)：分辨率125?！ 」δ?應(yīng)用范圍：鈹以上元素定性分析?！ ≈饕獪y試和研究領(lǐng)域：材料/珠寶首飾電子/信息技術(shù) 收費標(biāo)準(zhǔn)：按樣品、小時數(shù)收費 儀...
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主要技術(shù)指標(biāo)：美國di公司，掃描探針顯微鏡NanoScopeIV原子力顯微鏡(AFM)能立體三維觀察物體形貌，側(cè)向分辨率(X-Y方向)2nm，垂直分辨率(Z方向)0.1nm。具有多種探測(接觸、非接觸...
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主要技術(shù)指標(biāo)：核磁共振是研究分子結(jié)構(gòu)、運動和反應(yīng)的強有力技術(shù)。隨著多重脈沖技術(shù)的應(yīng)用，固體高分辨核磁共振譜儀應(yīng)運而生，可以便捷地開展固體高分子的研究。Infinityplus300WB...
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主要技術(shù)指標(biāo)：1.點分辨率：0.27nm；線分辨率：0.14nm。2.加速電壓：20,40,80,120,160&200kV,并可連續(xù)調(diào)節(jié)。3.放大倍數(shù)：25X–700KX；放大倍數(shù)和相機長度準(zhǔn)確度...
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主要技術(shù)指標(biāo)：變溫范圍：室溫～1000°C，樣品容量：60ml/1.3g，天平靈敏度：0.1mg，升溫/降溫速率：0.1°C/min～200°C/min，樣品氣氛：氮氣、空氣?！ 」δ?...
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小動物多角度活體成像系統(tǒng) (Optical and X-ray Small Animal Imaging System)
主要技術(shù)指標(biāo)：1.科研級制冷16位CCD，400萬像素，最小檢測光子數(shù)<50photos/sec/cm2/sr，讀出噪音3e-，暗電流3×10-4e/sec/pixel；2.定焦鏡頭，f/1.1-f16,58mm，視野20&ti...
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掃描電鏡/能譜儀 (Scanning Electron Microscope)
主要技術(shù)指標(biāo)：點分辨率3.5nm，放大倍率15-300000倍?！ 」δ?應(yīng)用范圍：納米材料，介觀材料，半導(dǎo)體材料，高分子材料，生物材料等形貌觀察，以及微觀區(qū)域的在線元素分析。...
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透射電子顯微鏡 (Transmission Electron Microscope)
主要技術(shù)指標(biāo)：點分辨率0.23nm，晶格分辨率0.14nm，放大倍率200-1500000?！ 」δ?應(yīng)用范圍：納米材料，高分子材料，半導(dǎo)體材料，介觀材料，微孔材料等的形貌觀察、結(jié)構(gòu)...
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激光共聚焦顯微鏡 (confocal laser fluorescence microscopy)
主要技術(shù)指標(biāo)：1、熒光共聚焦觀察，63X，100X油鏡，倒置2、全內(nèi)反射成像 功能/應(yīng)用范圍：功能：三維熒光成像、FILP，F(xiàn)RAP，F(xiàn)RET等應(yīng)用范圍：納米材料、物理、化學(xué)、高分子、...
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主要技術(shù)指標(biāo)：1.分辨率EnergyResolution:在MnKa線處測量分辨率≤127eVEnergyresolution≤127eV,atMnKaline2.超輕元素分辨率LightElementEnergyResolution:在FKa線處測量分...
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場發(fā)射透射電子顯微鏡(Field Emission Transmission Electron Microscope)
主要技術(shù)指標(biāo)：點分辨率：0.24nm,晶格分辨：0.102nm,信息分辨率：0.14nm,STEM分辨率：0.20nmEDS(能譜儀)能量分辨率：<127eV,元素范圍：Be-Cf 功能/應(yīng)用范圍：納米材...
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電子束蒸發(fā)系統(tǒng) (Electron Beam Evaporator)
主要技術(shù)指標(biāo)：.真空<3X10-9托 功能/應(yīng)用范圍：現(xiàn)有功能：a.三個室:進樣室、分析室、生長室。b.二個蒸發(fā)源、一個P型摻雜源和一路反應(yīng)氣體c.反射高能電子衍射儀(RHEED)d.四...
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