2025年12月13日 星期六
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主要技術(shù)指標(biāo)：樣品尺寸：2,4，6英寸基片，兼容加工小片和碎片；有加熱和冷卻裝置；下電極溫度范圍-150°C…+400°C；刻蝕氣體8路：HBr，SF6，C4F8,CHF3，BCl3,O2,N2,Ar。...
上海楊浦區(qū)
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主要技術(shù)指標(biāo)：樣品尺寸：2,4，6英寸基片，兼容加工小片和碎片；有加熱和冷卻裝置；下電極溫度范圍-150°C…+400°C；刻蝕氣體8路：HBr，SF6，C4F8,CHF3，BCl3,O2,N2,Ar。...
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